长鑫科技4F架构实现技术突破 新一代DDR5 RDIMM产品预计年底亮相

　　10月9日至10月10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行。会上，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）总裁曹堪宇全面介绍了该公司在DRAM（动态随机存取存储器）器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并宣布预计年底将推出融合先进技术的新一代DDR（双倍速率同步动态随机存储器）5RDIMM（寄存式双列直插内存模组）产品。

　　目前，DRAM行业内主流的架构是6F²架构。6F²是衡量DRAM存储单元面积的一个核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，实现了存储密度的提升。

　　曹堪宇介绍，公司的4F²架构，最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（VerticalSurroundingGate，垂直包围栅）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。

　　值得一提的是，VSG垂直晶体管在缩小单元面积、提升密度的同时，从器件底层改善漏电短板，优化内存性能功耗比。长鑫科技在研发中同步完成字线金属化、位线成型、结激活等多项核心工艺优化，为4F²架构落地筑牢工艺基础。

　　“公司将4F²架构的首代产品定为DDR5RDIMM，将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。”长鑫科技相关负责人对《证券日报》记者表示，与消费级低功耗内存产品不同，DDR5RDIMM的技术难度在于，必须支持服务器7×24小时不间断运行，能经受带电热插拔的电压冲击；必须与不同厂商、不同代际的CPU（中央处理器）和主板完成数百项严苛的兼容性测试。此外，更要高速传输时，确保信号在较长的模组走线上不衰减、不误码。

　　中国商业经济学会副会长宋向清对《证券日报》记者表示，随着底层器件、架构层面等技术积累逐步转化为商用产品，长鑫科技将带动国内存储产业链在芯片设计、制造工艺、半导体设备、材料端形成协同创新，推动存储产业升级发展。

（文章来源：证券日报）