中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低发生鳍部弯曲问题的概率

金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119364846 A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底，衬底包括隔断区和有源区；鳍部，位于有源区的衬底上；隔离层，位于衬底上，隔离层包括第一隔离层和第二隔离层；其中，第一隔离层位于隔断区和有源区的衬底上，有源区的第一隔离层覆盖鳍部的侧壁，隔断区的第一隔离层沿鳍部的排列方向间隔分立设置；第二隔离层位于隔断区的衬底上，第二隔离层位于相邻的第一隔离层之间，且第二隔离层的顶部与有源区的第一隔离层的顶部相齐平。本发明减小了去除鳍部的工艺对剩余鳍部的应力作用，且在形成第二隔离层时，隔断区的衬底上仍有部分的第一隔离层，减小了第二隔离层的形成对与隔断区相邻的有源区的鳍部的应力作用，因此降低了发生鳍部弯曲问题的概率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，知识产权方面有商标信息146条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可435个。